Справочник MOSFET. AM3998N

 

AM3998N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AM3998N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.15 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.7 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 7.5 nC
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.058 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для AM3998N

 

 

AM3998N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  analog power
 am3998n.pdf

AM3998N AM3998N

Analog Power AM3998NDual N-Channel Logical Level MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.058 @ VGS = 4.5 V 3.7converters and power management in portable and 20battery-powere

 9.1. Size:146K  analog power
 am3993p.pdf

AM3998N AM3998N

Analog Power AM3993PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures PRODUCT SUMMARYminimal power loss and conserves energy, making VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are DC-DC 0.130 @ VGS = -10V -2.5-30converters, power management in po

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top