AM3998N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM3998N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для AM3998N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM3998N даташит

 ..1. Size:134K  analog power
 am3998n.pdf pdf_icon

AM3998N

Analog Power AM3998N Dual N-Channel Logical Level MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 0.058 @ VGS = 4.5 V 3.7 converters and power management in portable and 20 battery-powere

 9.1. Size:146K  analog power
 am3993p.pdf pdf_icon

AM3998N

Analog Power AM3993P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures PRODUCT SUMMARY minimal power loss and conserves energy, making VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A) this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are DC-DC 0.130 @ VGS = -10V -2.5 -30 converters, power management in po

Другие IGBT... AM3933P, AM3940N, AM3940NE, AM3949P, AM3961P, AM3962N, AM3962NE, AM3993P, NCEP15T14, AM40N04-20D, AM40N04-30D, AM40N04-30DE, AM40N06-28D, AM40N08-30D, AM40N10-28D, AM40N10-30D, AM40N10-30I