AM4302N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM4302N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
Carga de la puerta (Qg): 5.5 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM4302N
AM4302N Datasheet (PDF)
am4302n.pdf
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Analog Power AM4302NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARYHigh Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m()ID (A)minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 26 @ VGS = 4.5V 9.030circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 50 @ VGS = 2.5V 6.5converters,
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