AM4302N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM4302N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AM4302N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM4302N даташит

 ..1. Size:160K  analog power
 am4302n.pdf pdf_icon

AM4302N

Analog Power AM4302N N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARY High Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 26 @ VGS = 4.5V 9.0 30 circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 50 @ VGS = 2.5V 6.5 converters,

Другие IGBT... AM40P02-20D, AM40P03-20D, AM40P03-20I, AM40P03-34D, AM40P04-20DE, AM40P06-135P, AM40P10-200P, AM40P20-150PCFM, IRF520, AM4362N, AM4380N, AM4390N, AM4392N, AM4394N, AM4396N, AM4400N, AM4400NE