AM4362N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM4362N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 326 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM4362N

AM4362N Datasheet (PDF)

..1. Size:317K analog power
am4362n.pdf

Analog Power AM4362NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)6 @ VGS = 10V19 Low thermal impedance 308 @ VGS = 4.5V16 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HY2N65T

Liste

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