12N65KL-TF Todos los transistores

 

12N65KL-TF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 12N65KL-TF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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12N65KL-TF datasheet

 0.1. Size:298K  utc
 12n65kl-ta3-t 12n65kg-ta3-t 12n65kl-tf1-t 12n65kg-tf1-t 12n65kl-tf2-t 12n65kg-tf2-t 12n65kl-tf3-t 12n65kg-tf3-t 12n65kl-tq2-t 12n65kg-tq2-t 12n65kl-tq2-r 12n65kg-tq2-r.pdf pdf_icon

12N65KL-TF

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12N65K-MT Power MOSFET 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 12N65K-MT are N-Channel enhancement mode power field effect transistors (MOSFET) which are produced by using UTC s proprietary, planar stripe and DMOS technology. These devices are suited for high efficiency switch mode power supply. To minimize on-state resistance,

 0.2. Size:218K  inchange semiconductor
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12N65KL-TF

isc N-Channel MOSFET Transistor 12N65KL-TF1-T FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R

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12N65KL-TF

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12N65K-MT Power MOSFET 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 12N65K-MT are N-Channel enhancement mode power field effect transistors (MOSFET) which are produced by using UTC s proprietary, planar stripe and DMOS technology. These devices are suited for high efficiency switch mode power supply. To minimize on-state resistance,

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History: ITF87072DK8T | IRF3415PBF | WMK20N50D1

 

 

 

 

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