AM4560C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM4560C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM4560C

AM4560C Datasheet (PDF)

..1. Size:379K analog power
am4560c.pdf

Analog Power AM4560CPRODUCT SUMMARYN & P-Channel 60-V (D-S) MOSFET rDS(on) (m)VDS (V) ID(A)82 @ VGS = 10V4.260100 @ VGS = 4.5V3.8Key Features: Key Features:190 @ VGS = -10V -2.8 Low r trench technology Low r trench technology DS(on)DS(on)-60250 @ VGS = -4.5V -2.4 Low thermal impedance Low thermal impedance Fast switching speed Fa

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: