AM4560C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM4560C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AM4560C datasheet

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AM4560C

Analog Power AM4560C PRODUCT SUMMARY N & P-Channel 60-V (D-S) MOSFET rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) 82 @ VGS = 10V 4.2 60 100 @ VGS = 4.5V 3.8 Key Features Key Features 190 @ VGS = -10V -2.8 Low r trench technology Low r trench technology DS(on) DS(on) -60 250 @ VGS = -4.5V -2.4 Low thermal impedance Low thermal impedance Fast switching speed Fa

Otros transistores... AM4533C, AM4534C, AM4536C, AM4540C, AM4541C, AM4542C, AM4543C, AM4545C, IRF4905, AM4599C, AM45N06-16D, AM4811P, AM4812, AM4825P, AM4825PE, AM4830NS, AM4832N