AM4560C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM4560C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 31 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.082 Ohm
Тип корпуса: SO-8
AM4560C Datasheet (PDF)
..1. Size:379K analog power
am4560c.pdf
am4560c.pdf
Analog Power AM4560CPRODUCT SUMMARYN & P-Channel 60-V (D-S) MOSFET rDS(on) (m)VDS (V) ID(A)82 @ VGS = 10V4.260100 @ VGS = 4.5V3.8Key Features: Key Features:190 @ VGS = -10V -2.8 Low r trench technology Low r trench technology DS(on)DS(on)-60250 @ VGS = -4.5V -2.4 Low thermal impedance Low thermal impedance Fast switching speed Fa
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 4803A
