AM4599C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM4599C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AM4599C datasheet

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AM4599C

Analog Power AM4599C PRODUCT SUMMARY N & P-Channel 60-V (D-S) MOSFET rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) 35 @ VGS = 10V 7.7 60 50 @ VGS = 4.5V 6.5 Key Features Key Features 57 @ VGS = -10V -5.0 Low r trench technology Low r trench technology DS(on) DS(on) -60 77 @ VGS = -4.5V -4.3 Low thermal impedance Low thermal impedance Fast switching speed Fast

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