AM4599C Todos los transistores

 

AM4599C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM4599C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AM4599C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  analog power
 am4599c.pdf pdf_icon

AM4599C

Analog Power AM4599CPRODUCT SUMMARYN & P-Channel 60-V (D-S) MOSFET rDS(on) (m)VDS (V) ID(A)35 @ VGS = 10V7.76050 @ VGS = 4.5V6.5Key Features: Key Features:57 @ VGS = -10V -5.0 Low r trench technology Low r trench technology DS(on)DS(on)-6077 @ VGS = -4.5V -4.3 Low thermal impedance Low thermal impedance Fast switching speed Fast

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History: SMG2302N

 

 
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