Справочник MOSFET. AM4599C

 

AM4599C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM4599C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM4599C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  analog power
 am4599c.pdf pdf_icon

AM4599C

Analog Power AM4599CPRODUCT SUMMARYN & P-Channel 60-V (D-S) MOSFET rDS(on) (m)VDS (V) ID(A)35 @ VGS = 10V7.76050 @ VGS = 4.5V6.5Key Features: Key Features:57 @ VGS = -10V -5.0 Low r trench technology Low r trench technology DS(on)DS(on)-6077 @ VGS = -4.5V -4.3 Low thermal impedance Low thermal impedance Fast switching speed Fast

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AOT4S60 | VBMB1104N | 2SK3572-Z | 5N60G-TF3-T | AONS66405 | FQD2N80TF | IRFU4620

 

 
Back to Top

 


 
.