AM45N06-16D Todos los transistores

 

AM45N06-16D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM45N06-16D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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AM45N06-16D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  analog power
 am45n06-16d.pdf pdf_icon

AM45N06-16D

Analog Power AM45N06-16DN-Channel 60-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 16 @ VGS = 4.5V 46converters and power management in portable and 6019 @ VGS = 2.5V 42batt

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History: HGB028NE6A | HGB028N08A | INJ0003AC1 | INJ0312AP1 | IPA50R950CE | QS5U34

 

 
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