AM45N06-16D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AM45N06-16D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для AM45N06-16D
AM45N06-16D Datasheet (PDF)
am45n06-16d.pdf
Analog Power AM45N06-16DN-Channel 60-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 16 @ VGS = 4.5V 46converters and power management in portable and 6019 @ VGS = 2.5V 42batt
Другие MOSFET... AM4536C , AM4540C , AM4541C , AM4542C , AM4543C , AM4545C , AM4560C , AM4599C , AO3401 , AM4811P , AM4812 , AM4825P , AM4825PE , AM4830NS , AM4832N , AM4835EP , AM4835P .
History: HGB028NE6A | QS5U34 | TSM240N03CX | IPA50R950CE | HGB028N08A | INJ0003AC1 | INJ0312AP1
History: HGB028NE6A | QS5U34 | TSM240N03CX | IPA50R950CE | HGB028N08A | INJ0003AC1 | INJ0312AP1
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g


