AM45N06-16D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AM45N06-16D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 6 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO-252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AM45N06-16D Datasheet (PDF)
am45n06-16d.pdf

Analog Power AM45N06-16DN-Channel 60-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 16 @ VGS = 4.5V 46converters and power management in portable and 6019 @ VGS = 2.5V 42batt
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: 2SK3726-01MR | VBZFB12P10 | IPI80N06S4L-05 | SI8497DB | IRHY9130CM | IPB180N04S4-01 | TK7A90E
History: 2SK3726-01MR | VBZFB12P10 | IPI80N06S4L-05 | SI8497DB | IRHY9130CM | IPB180N04S4-01 | TK7A90E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g