AM4811P Todos los transistores

 

AM4811P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM4811P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

AM4811P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  analog power
 am4811p.pdf pdf_icon

AM4811P

Analog Power AM4811PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARYHigh Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m() ID (A)minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 30 @ VGS = -10V 9.5-30circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 52 @ VGS = -4.5V 7.5converte

 9.1. Size:466K  ait semi
 am4812.pdf pdf_icon

AM4811P

AiT Semiconductor Inc. AM4812 www.ait-ic.com 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM4812 is the N-Channel logic enhancement 30V / 7.8A, R = 16m (typ.)@V = 10V DS(ON) GSmode power field effect transistor which is 30V / 5.8A, R = 22m (typ.)@V = 4.5V DS(ON) GSproduced using high cell density. Advanced trench Super high density cell design f

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HUFA76423S3ST | P06P03LDG | HM12N20D | FDP52N20 | NCE65TF099F

 

 
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