AM4811P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM4811P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de AM4811P MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AM4811P datasheet

 ..1. Size:372K  analog power
 am4811p.pdf pdf_icon

AM4811P

Analog Power AM4811P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARY High Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 30 @ VGS = -10V 9.5 -30 circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 52 @ VGS = -4.5V 7.5 converte

 9.1. Size:466K  ait semi
 am4812.pdf pdf_icon

AM4811P

AiT Semiconductor Inc. AM4812 www.ait-ic.com 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM4812 is the N-Channel logic enhancement 30V / 7.8A, R = 16m (typ.)@V = 10V DS(ON) GS mode power field effect transistor which is 30V / 5.8A, R = 22m (typ.)@V = 4.5V DS(ON) GS produced using high cell density. Advanced trench Super high density cell design f

Otros transistores... AM4540C, AM4541C, AM4542C, AM4543C, AM4545C, AM4560C, AM4599C, AM45N06-16D, K3569, AM4812, AM4825P, AM4825PE, AM4830NS, AM4832N, AM4835EP, AM4835P, AM4840N