AM4812 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM4812

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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AM4812 datasheet

 ..1. Size:466K  ait semi
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AM4812

AiT Semiconductor Inc. AM4812 www.ait-ic.com 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM4812 is the N-Channel logic enhancement 30V / 7.8A, R = 16m (typ.)@V = 10V DS(ON) GS mode power field effect transistor which is 30V / 5.8A, R = 22m (typ.)@V = 4.5V DS(ON) GS produced using high cell density. Advanced trench Super high density cell design f

 9.1. Size:372K  analog power
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AM4812

Analog Power AM4811P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARY High Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 30 @ VGS = -10V 9.5 -30 circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 52 @ VGS = -4.5V 7.5 converte

Otros transistores... AM4541C, AM4542C, AM4543C, AM4545C, AM4560C, AM4599C, AM45N06-16D, AM4811P, IRFP260, AM4825P, AM4825PE, AM4830NS, AM4832N, AM4835EP, AM4835P, AM4840N, AM4841P