AM4812 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM4812
Código: M8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 7.2 nC
Tiempo de subida (tr): 10.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM4812
AM4812 Datasheet (PDF)
am4812.pdf
AiT Semiconductor Inc. AM4812 www.ait-ic.com 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM4812 is the N-Channel logic enhancement 30V / 7.8A, R = 16m (typ.)@V = 10V DS(ON) GSmode power field effect transistor which is 30V / 5.8A, R = 22m (typ.)@V = 4.5V DS(ON) GSproduced using high cell density. Advanced trench Super high density cell design f
am4811p.pdf
Analog Power AM4811PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARYHigh Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m() ID (A)minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 30 @ VGS = -10V 9.5-30circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 52 @ VGS = -4.5V 7.5converte
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