AM4940N Todos los transistores

 

AM4940N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM4940N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 272 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

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AM4940N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  analog power
 am4940n.pdf pdf_icon

AM4940N

Analog Power AM4940NDual N-Channel 40-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m() ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 22 @ VGS = 10V 8.340battery-powered products

 9.1. Size:174K  analog power
 am4942n.pdf pdf_icon

AM4940N

Analog Power AM4942NDual N-Channel 40-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 75 @ VGS = 10V 4.4converters and power management in portable and 40battery-powered products

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History: NCE65N330R | PMN230ENEA | AOB414 | NVMFS5C460N

 

 
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