AM4940N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM4940N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 272 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

 Búsqueda de reemplazo de AM4940N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AM4940N datasheet

 ..1. Size:113K  analog power
 am4940n.pdf pdf_icon

AM4940N

Analog Power AM4940N Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 22 @ VGS = 10V 8.3 40 battery-powered products

 9.1. Size:174K  analog power
 am4942n.pdf pdf_icon

AM4940N

Analog Power AM4942N Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 75 @ VGS = 10V 4.4 converters and power management in portable and 40 battery-powered products

Otros transistores... AM4924N, AM4926N, AM4929P, AM4930N, AM4932N, AM4934N, AM4935P, AM4936N, 18N50, AM4942N, AM4953, AM4953P, AM4960N, AM4962NE, AM4963P, AM4964NT, AM4970N