IXBH9N160 Todos los transistores

 

IXBH9N160 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBH9N160

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1600 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.78 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXBH9N160

 

IXBH9N160 Datasheet (PDF)

1.1. ixbh9n160g.pdf Size:76K _igbt

IXBH9N160
IXBH9N160

IXBH 9N160G High Voltage BIMOSFETTM IC25 = 9 A Monolithic Bipolar VCES = 1600 V MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. tfi = 70 ns N-Channel, Enhancement Mode C TO-247 AD MOSFET compatible G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features • High Voltage BIMOSFETTM VCES TJ = 25°C to 150°C 1600 V - replaces hig

3.1. ixbh9n140-160.pdf Size:55K _ixys

IXBH9N160
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High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 A MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 ns C TO-247 AD G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features 9N140 9N160 • International standard package VCES TJ = 25°C to 150°C 1400 160

 

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