AM5400N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM5400N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 4.1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X2
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM5400N
AM5400N Datasheet (PDF)
am5400n.pdf
Analog Power AM5400NN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)280 @ VGS = 10V2.1 Low thermal impedance100355 @ VGS = 4.5V1.9 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L packageDFN3x2-8L EPTypical Applications:DD Telecom DC/DC convertersDD White LED boost conve
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Liste
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