Справочник MOSFET. AM5400N

 

AM5400N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM5400N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2
 

 Аналог (замена) для AM5400N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5400N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  analog power
am5400n.pdfpdf_icon

AM5400N

Analog Power AM5400NN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)280 @ VGS = 10V2.1 Low thermal impedance100355 @ VGS = 4.5V1.9 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L packageDFN3x2-8L EPTypical Applications:DD Telecom DC/DC convertersDD White LED boost conve

Другие MOSFET... AM50P02-16D , AM50P03-09D , AM50P04-16PCFM , AM50P04-20D , AM50P06-15D , AM50P10-117P , AM5350N , AM5352 , IRFP064N , AM5423P , AM5430N , AM5460N , AM5480N , AM5521C , AM5829P , AM5853 , AM5920N .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | FQA11N90 | HGN080N10SL | PD696BA | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.