AM5400N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM5400N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: DFN3X2

Аналог (замена) для AM5400N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5400N даташит

 ..1. Size:317K  analog power
 am5400n.pdf pdf_icon

AM5400N

Analog Power AM5400N N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 280 @ VGS = 10V 2.1 Low thermal impedance 100 355 @ VGS = 4.5V 1.9 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L package DFN3x2-8L EP Typical Applications D D Telecom DC/DC converters D D White LED boost conve

Другие IGBT... AM50P02-16D, AM50P03-09D, AM50P04-16PCFM, AM50P04-20D, AM50P06-15D, AM50P10-117P, AM5350N, AM5352, AO4468, AM5423P, AM5430N, AM5460N, AM5480N, AM5521C, AM5829P, AM5853, AM5920N