AM5430N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM5430N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.7 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: DFN3X2

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AM5430N datasheet

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AM5430N

Analog Power AM5430N N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 22 @ VGS = 10V 10 Low thermal impedance 30 30 @ VGS = 4.5V 8.5 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L package DFN3x2-8L EP Typical Applications D D Portable Computing Power Conversion D D Portable Enter

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