AM5430N Todos los transistores

 

AM5430N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM5430N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.7 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X2
 

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AM5430N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  analog power
 am5430n.pdf pdf_icon

AM5430N

Analog Power AM5430NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)22 @ VGS = 10V10 Low thermal impedance3030 @ VGS = 4.5V8.5 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L packageDFN3x2-8L EPTypical Applications:DD Portable Computing Power ConversionDD Portable Enter

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History: AM5920N | VBZFB40N03 | RJK0703DPP-E0 | PSMN9R0-30LL | PE551BA | FQD7N20TM | 2SK723

 

 
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