Справочник MOSFET. AM5430N

 

AM5430N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM5430N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5430N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  analog power
 am5430n.pdf pdf_icon

AM5430N

Analog Power AM5430NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)22 @ VGS = 10V10 Low thermal impedance3030 @ VGS = 4.5V8.5 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L packageDFN3x2-8L EPTypical Applications:DD Portable Computing Power ConversionDD Portable Enter

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLR2905PBF | 12P10G-TMS4-T | HMS80N10KA | MS65R120C | IRF9Z24SPBF | HUFA76429D3 | MEE7816S

 

 
Back to Top

 


 
.