Справочник MOSFET. AM5430N

 

AM5430N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM5430N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2
 

 Аналог (замена) для AM5430N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5430N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  analog power
 am5430n.pdf pdf_icon

AM5430N

Analog Power AM5430NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)22 @ VGS = 10V10 Low thermal impedance3030 @ VGS = 4.5V8.5 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L packageDFN3x2-8L EPTypical Applications:DD Portable Computing Power ConversionDD Portable Enter

Другие MOSFET... AM50P04-16PCFM , AM50P04-20D , AM50P06-15D , AM50P10-117P , AM5350N , AM5352 , AM5400N , AM5423P , IRFZ44N , AM5460N , AM5480N , AM5521C , AM5829P , AM5853 , AM5920N , AM5922N , AM5931P .

History: NX7002BKM | ATM8N80TF | SLU60R380S2 | FDS2070N3 | EKG1020 | AP4451GH-HF | JCS10N60CC

 

 
Back to Top

 


 
.