AM5853 Todos los transistores

 

AM5853 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM5853
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70-5
     - Selección de transistores por parámetros

 

AM5853 Datasheet (PDF)

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AM5853

AM5853 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL MOSFET WITH 0.12V SCHOTTKY DIODE DESCRIPTION FEATURES AM5853 is designed for battery charging controller, PMOSFET with SBD for reverse current which features P-channel MOSFET characteristics blocking and a 0.12V Schottky diode for reverse current 0.12V Schottky diode forward voltage blocking. Such reverse curr

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History: HM40N20 | IRLB3036GPBF | ET2N7002K | NCE0108AS | WMS10DH04TS | DMN4010LFG | 2SK776

 

 
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