AM5853 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM5853
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: SC70-5
Búsqueda de reemplazo de AM5853 MOSFET
AM5853 Datasheet (PDF)
am5853.pdf

AM5853 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL MOSFET WITH 0.12V SCHOTTKY DIODE DESCRIPTION FEATURES AM5853 is designed for battery charging controller, PMOSFET with SBD for reverse current which features P-channel MOSFET characteristics blocking and a 0.12V Schottky diode for reverse current 0.12V Schottky diode forward voltage blocking. Such reverse curr
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50
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