Справочник MOSFET. AM5853

 

AM5853 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM5853
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SC70-5
 

 Аналог (замена) для AM5853

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5853 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:540K  ait semi
 am5853.pdf pdf_icon

AM5853

AM5853 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL MOSFET WITH 0.12V SCHOTTKY DIODE DESCRIPTION FEATURES AM5853 is designed for battery charging controller, PMOSFET with SBD for reverse current which features P-channel MOSFET characteristics blocking and a 0.12V Schottky diode for reverse current 0.12V Schottky diode forward voltage blocking. Such reverse curr

Другие MOSFET... AM5352 , AM5400N , AM5423P , AM5430N , AM5460N , AM5480N , AM5521C , AM5829P , IRF540 , AM5920N , AM5922N , AM5931P , AM5932N , AM60N02-09D , AM60N02-10D , AM60N03-09D , AM60N04-12D .

History: AM90N06-03B | DMN4026SSD

 

 
Back to Top

 


 
.