AM5853. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM5853

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SC70-5

Аналог (замена) для AM5853

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5853 даташит

 ..1. Size:540K  ait semi
 am5853.pdf pdf_icon

AM5853

AM5853 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL MOSFET WITH 0.12V SCHOTTKY DIODE DESCRIPTION FEATURES AM5853 is designed for battery charging controller, PMOSFET with SBD for reverse current which features P-channel MOSFET characteristics blocking and a 0.12V Schottky diode for reverse current 0.12V Schottky diode forward voltage blocking. Such reverse curr

Другие IGBT... AM5352, AM5400N, AM5423P, AM5430N, AM5460N, AM5480N, AM5521C, AM5829P, IRF540N, AM5920N, AM5922N, AM5931P, AM5932N, AM60N02-09D, AM60N02-10D, AM60N03-09D, AM60N04-12D