AM5922N Todos los transistores

 

AM5922N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM5922N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X2
 

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AM5922N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  analog power
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AM5922N

Analog Power AM5922NN-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)23 @ VGS = 4.5V7.9 Low thermal impedance 2033 @ VGS = 2.5V6.6 Fast switching speed Typical Applications: DFN3x2-8L White LED boost converters S1 D1 Automotive Systems G1 Industrial DC/DC Conversion C

 9.1. Size:151K  analog power
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AM5922N

Analog Power AM5920NDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 58 @ VGS = 4.5V 5.0battery-powered products

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History: TSM4N80CZ | SSF11NS70UG | AP4578GM | AP02N60J-H | HFP730U | HGN115N15SL | S68N08ZRP

 

 
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