AM6401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM6401
   Código: E6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM6401

AM6401 Datasheet (PDF)

..1. Size:550K ait semi
am6401.pdf

AiT Semiconductor Inc. AM6401 www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES AM6401 is available in a SOT-26 package. -30V/-5.1A, R = 54m(max.) @ V = -10V DS(ON) GSR = 65m(max.) @ V = -4.5V DS(ON) GSR = 92m(max.) @ V = -2.5V DS(ON) GS Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Availabl

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History: SI4825DDY

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