AM6401 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM6401

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm

Encapsulados: SOT-26

 Búsqueda de reemplazo de AM6401 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AM6401 datasheet

 ..1. Size:550K  ait semi
 am6401.pdf pdf_icon

AM6401

AiT Semiconductor Inc. AM6401 www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES AM6401 is available in a SOT-26 package. -30V/-5.1A, R = 54m (max.) @ V = -10V DS(ON) GS R = 65m (max.) @ V = -4.5V DS(ON) GS R = 92m (max.) @ V = -2.5V DS(ON) GS Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Availabl

Otros transistores... AM60N02-10D, AM60N03-09D, AM60N04-12D, AM60N10-13D, AM60N10-70P, AM60N10-70PCFM, AM60P04-10D, AM6378, 10N60, AM6411P, AM6415, AM6441P, AM6520C, AM6544C, AM6602, AM6612N, AM6612NE