AM6401. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM6401

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

Аналог (замена) для AM6401

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM6401 даташит

 ..1. Size:550K  ait semi
 am6401.pdf pdf_icon

AM6401

AiT Semiconductor Inc. AM6401 www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES AM6401 is available in a SOT-26 package. -30V/-5.1A, R = 54m (max.) @ V = -10V DS(ON) GS R = 65m (max.) @ V = -4.5V DS(ON) GS R = 92m (max.) @ V = -2.5V DS(ON) GS Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Availabl

Другие IGBT... AM60N02-10D, AM60N03-09D, AM60N04-12D, AM60N10-13D, AM60N10-70P, AM60N10-70PCFM, AM60P04-10D, AM6378, 10N60, AM6411P, AM6415, AM6441P, AM6520C, AM6544C, AM6602, AM6612N, AM6612NE