AM6401 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AM6401
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
Тип корпуса: SOT-26
Аналог (замена) для AM6401
AM6401 Datasheet (PDF)
am6401.pdf
AiT Semiconductor Inc. AM6401 www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES AM6401 is available in a SOT-26 package. -30V/-5.1A, R = 54m(max.) @ V = -10V DS(ON) GSR = 65m(max.) @ V = -4.5V DS(ON) GSR = 92m(max.) @ V = -2.5V DS(ON) GS Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Availabl
Другие MOSFET... AM60N02-10D , AM60N03-09D , AM60N04-12D , AM60N10-13D , AM60N10-70P , AM60N10-70PCFM , AM60P04-10D , AM6378 , 10N60 , AM6411P , AM6415 , AM6441P , AM6520C , AM6544C , AM6602 , AM6612N , AM6612NE .
History: MMIS60R580PTH
History: MMIS60R580PTH
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35


