Справочник MOSFET. AM6401

 

AM6401 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM6401
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
 

 Аналог (замена) для AM6401

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM6401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  ait semi
 am6401.pdf pdf_icon

AM6401

AiT Semiconductor Inc. AM6401 www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES AM6401 is available in a SOT-26 package. -30V/-5.1A, R = 54m(max.) @ V = -10V DS(ON) GSR = 65m(max.) @ V = -4.5V DS(ON) GSR = 92m(max.) @ V = -2.5V DS(ON) GS Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Availabl

Другие MOSFET... AM60N02-10D , AM60N03-09D , AM60N04-12D , AM60N10-13D , AM60N10-70P , AM60N10-70PCFM , AM60P04-10D , AM6378 , IRFB4227 , AM6411P , AM6415 , AM6441P , AM6520C , AM6544C , AM6602 , AM6612N , AM6612NE .

History: SQJ860EP | IPD50R380CE | RJL6032DPP-M0 | VBA1104N | G1010 | RJK1052DPB | S80N08RN

 

 
Back to Top

 


 
.