IXFH10N90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFH10N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Encapsulados: TO247
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IXFH10N90 datasheet
ixfh10n90 ixfm10n90 ixfh12n90 ixfm12n90 ixfh13n90 ixfm13n90.pdf
VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 10 N90 900 V 10 A 1.1 Power MOSFETs IXFH/IXFM 12 N90 900 V 12 A 0.9 IXFH/IXFT 13 N90 900 V 13 A 0.8 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 1
ixft12n100q ixfh12n100q ixft10n100q ixfh10n100q.pdf
VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT12N100Q 1000 V 12 A 1.05 Power MOSFETs IXFH/IXFT10N100Q 1000 V 10 A 1.20 Q Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS
Otros transistores... 2SK2654 , 2SK3530 , 2SK3681 , 3N150S , 80N08A , AOB12N65 , AOB2144L , IXFH10N100 , 2SK3568 , IXFH11N80 , IXFH12N100 , IXFH12N100Q , IXFH12N90 , IXFH12N90Q , IXFH13N50 , IXFH13N80 , IXFH13N80Q .
History: 4N65G | BSB012NE2LX | STY60NM60
History: 4N65G | BSB012NE2LX | STY60NM60
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Liste
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