AM6602 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM6602

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm

Encapsulados: SOT-26

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AM6602 datasheet

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AM6602

AiT Semiconductor Inc. AM6602 www.ait-ic.com MOSFET DUAL ENHANCEMENT MODE MOSFET (N- AND P-CHANNEL) DESCRIPTION FEATURES AM6602 is available in a SOT-26 package. N-Channel 30V/4.9A, R =39m (max.) @ V =10V DS(ON) GS R =68m (max.) @ V =4.5V DS(ON) GS P-Channel -30V/-3A, R =100m (max.) @ V =-10V DS(ON) GS R =170m (max.) @ V =-4.5V DS(ON) GS Reliable and

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