AM6602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM6602
   Código: E6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM6602

AM6602 Datasheet (PDF)

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am6602.pdf

AiT Semiconductor Inc. AM6602 www.ait-ic.com MOSFET DUAL ENHANCEMENT MODE MOSFET (N- AND P-CHANNEL) DESCRIPTION FEATURES AM6602 is available in a SOT-26 package. N-Channel 30V/4.9A, R =39m(max.) @ V =10V DS(ON) GSR =68m(max.) @ V =4.5V DS(ON) GS P-Channel -30V/-3A, R =100m(max.) @ V =-10V DS(ON) GSR =170m(max.) @ V =-4.5V DS(ON) GS Reliable and

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History: RD3G600GN | HGN320N20SL

Liste

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