AM6602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM6602
Código: E6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-26
- Selección de transistores por parámetros
AM6602 Datasheet (PDF)
am6602.pdf

AiT Semiconductor Inc. AM6602 www.ait-ic.com MOSFET DUAL ENHANCEMENT MODE MOSFET (N- AND P-CHANNEL) DESCRIPTION FEATURES AM6602 is available in a SOT-26 package. N-Channel 30V/4.9A, R =39m(max.) @ V =10V DS(ON) GSR =68m(max.) @ V =4.5V DS(ON) GS P-Channel -30V/-3A, R =100m(max.) @ V =-10V DS(ON) GSR =170m(max.) @ V =-4.5V DS(ON) GS Reliable and
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AFC3346W
History: AFC3346W



Liste
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