AM6602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM6602
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-26
Búsqueda de reemplazo de AM6602 MOSFET
AM6602 Datasheet (PDF)
am6602.pdf

AiT Semiconductor Inc. AM6602 www.ait-ic.com MOSFET DUAL ENHANCEMENT MODE MOSFET (N- AND P-CHANNEL) DESCRIPTION FEATURES AM6602 is available in a SOT-26 package. N-Channel 30V/4.9A, R =39m(max.) @ V =10V DS(ON) GSR =68m(max.) @ V =4.5V DS(ON) GS P-Channel -30V/-3A, R =100m(max.) @ V =-10V DS(ON) GSR =170m(max.) @ V =-4.5V DS(ON) GS Reliable and
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History: PDN2318S | 1N60G-TM3-T | SPN12T20 | 2SK1061 | 2SK2025 | IPB180N04S3-02 | ATM2312NSA
History: PDN2318S | 1N60G-TM3-T | SPN12T20 | 2SK1061 | 2SK2025 | IPB180N04S3-02 | ATM2312NSA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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