AM6602 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM6602
Маркировка: E6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 37 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.039 Ohm
Тип корпуса: SOT-26
AM6602 Datasheet (PDF)
..1. Size:876K ait semi
am6602.pdf
am6602.pdf
AiT Semiconductor Inc. AM6602 www.ait-ic.com MOSFET DUAL ENHANCEMENT MODE MOSFET (N- AND P-CHANNEL) DESCRIPTION FEATURES AM6602 is available in a SOT-26 package. N-Channel 30V/4.9A, R =39m(max.) @ V =10V DS(ON) GSR =68m(max.) @ V =4.5V DS(ON) GS P-Channel -30V/-3A, R =100m(max.) @ V =-10V DS(ON) GSR =170m(max.) @ V =-4.5V DS(ON) GS Reliable and
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: AM6802
