AM6612N Todos los transistores

 

AM6612N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM6612N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AM6612N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  analog power
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AM6612N

Analog Power AM6612NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)22 @ VGS = 10V9.7 Low thermal impedance 3030 @ VGS = 4.5V8.3 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM R

 0.1. Size:199K  analog power
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AM6612N

Analog Power AM6612NEN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m()ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 22 @ VGS = 10V 9.430converters and power management in portable and 30 @ VGS = 4.5V 7.0batte

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History: IRF3703 | UTT200N02 | IRFS832 | ELM16400EA | NCE65N460 | IRFU3412PBF | FDR8305N

 

 
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