Справочник MOSFET. AM6612N

 

AM6612N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM6612N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AM6612N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM6612N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  analog power
 am6612n.pdf pdf_icon

AM6612N

Analog Power AM6612NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)22 @ VGS = 10V9.7 Low thermal impedance 3030 @ VGS = 4.5V8.3 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM R

 0.1. Size:199K  analog power
 am6612ne.pdf pdf_icon

AM6612N

Analog Power AM6612NEN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m()ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 22 @ VGS = 10V 9.430converters and power management in portable and 30 @ VGS = 4.5V 7.0batte

Другие MOSFET... AM6378 , AM6401 , AM6411P , AM6415 , AM6441P , AM6520C , AM6544C , AM6602 , AON7408 , AM6612NE , AM6802 , AM6920NH , AM6921P , AM6922NH , AM6923P , AM6924NHE , AM6930N .

History: AP4453GYT | AP9938AGEY-HF | DH100P18I | DMN3404L | GSM4403 | BUZ32H | DMN3016LDN

 

 
Back to Top

 


 
.