AM6968N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM6968N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM6968N

AM6968N Datasheet (PDF)

..1. Size:137K analog power
am6968n.pdf

Analog Power AM6968NDual N-Channel Logical Level MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.022 @ VGS = 4.5 V 6.8battery-powered pr

0.1. Size:293K analog power
am6968nh.pdf

Analog Power AM6968NHDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)24 @ VGS = 4.5V6.5 Low thermal impedance 2032 @ VGS = 2.5V5.6 Fast switching speed Typical Applications: Power Routing Li Ion Battery Packs Level Shifting and Driver Circuits ABSOLUTE MAXIMUM RATING

0.2. Size:247K analog power
am6968ne.pdf

Analog Power AM6968NEDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY rDS(on) (m) VDS (V) ID(A) Key Features:26 @ VGS = 4.5V 6.8 Low r trench technologyDS(on)35 @ VGS = 2.5V 20 5.8 Low thermal impedance46 @ VGS = 1.8V 4.7 Fast switching speedTypical Applications: Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Unit

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History: SDF360JEC

Liste

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