AM7000N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM7000N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.295 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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AM7000N datasheet

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AM7000N

Analog Power AM7000N N-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 295 @ VGS = 10V 3 Low thermal impedance 200 340 @ VGS = 5.5V 2.7 Fast switching speed Typical Applications DFN3x3-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits ABSO

 9.1. Size:467K  analog power
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AM7000N

Analog Power AM7001P P-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 900 @ VGS = -10V -1.6 Low thermal impedance -200 1000 @ VGS = -5.5V -1.5 Fast switching speed Typical Applications DFN3x3-8L PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters ABSOLU

Otros transistores... AM6921P, AM6922NH, AM6923P, AM6924NHE, AM6930N, AM6968N, AM6968NE, AM6968NH, IRFP260, AM7001P, AM70N03-04D, AM70N03-08D, AM70N04-06D, AM70N10-44P, AM70N15-40P, AM70P03-07D, AM7100N