AM7000N Todos los transistores

 

AM7000N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM7000N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.295 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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AM7000N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  analog power
 am7000n.pdf pdf_icon

AM7000N

Analog Power AM7000NN-Channel 200-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)295 @ VGS = 10V3 Low thermal impedance 200340 @ VGS = 5.5V2.7 Fast switching speed Typical Applications: DFN3x3-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits ABSO

 9.1. Size:467K  analog power
 am7001p.pdf pdf_icon

AM7000N

Analog Power AM7001PP-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)900 @ VGS = -10V -1.6 Low thermal impedance -2001000 @ VGS = -5.5V -1.5 Fast switching speed Typical Applications: DFN3x3-8L PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters ABSOLU

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History: P1603BVA | JCS7HN60S | NDP7060 | CEP04N7G | RZF030P01 | IRFS644A | IPC90N04S5L-3R3

 

 
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