AM7000N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM7000N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.295 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для AM7000N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM7000N даташит

 ..1. Size:446K  analog power
 am7000n.pdf pdf_icon

AM7000N

Analog Power AM7000N N-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 295 @ VGS = 10V 3 Low thermal impedance 200 340 @ VGS = 5.5V 2.7 Fast switching speed Typical Applications DFN3x3-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits ABSO

 9.1. Size:467K  analog power
 am7001p.pdf pdf_icon

AM7000N

Analog Power AM7001P P-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 900 @ VGS = -10V -1.6 Low thermal impedance -200 1000 @ VGS = -5.5V -1.5 Fast switching speed Typical Applications DFN3x3-8L PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters ABSOLU

Другие IGBT... AM6921P, AM6922NH, AM6923P, AM6924NHE, AM6930N, AM6968N, AM6968NE, AM6968NH, IRFP260, AM7001P, AM70N03-04D, AM70N03-08D, AM70N04-06D, AM70N10-44P, AM70N15-40P, AM70P03-07D, AM7100N