AM7200N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM7200N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM7200N

AM7200N Datasheet (PDF)

..1. Size:326K analog power
am7200n.pdf

Analog Power AM7200NN-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)400 @ VGS = 10V3 Low thermal impedance 200450 @ VGS = 4.5V2.8 Fast switching speed Typical Applications: DFN5x6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABS

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Liste

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