Справочник MOSFET. AM7200N

 

AM7200N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM7200N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AM7200N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM7200N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  analog power
 am7200n.pdf pdf_icon

AM7200N

Analog Power AM7200NN-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)400 @ VGS = 10V3 Low thermal impedance 200450 @ VGS = 4.5V2.8 Fast switching speed Typical Applications: DFN5x6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABS

Другие MOSFET... AM70P03-07D , AM7100N , AM7101P , AM7102NA , AM7104N , AM7150N , AM7151P , AM7153P , IRFP250 , AM7300N , AM7302N , AM7304N , AM7306NA , AM7308NA , AM7310N , AM7320N , AM7321P .

History: AM2305 | IRF7821PBF | IRHMS597260 | NCE50NF600R | UPA2353 | FQA13N50 | HGN080N10S

 

 
Back to Top

 


 
.