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IRFH8330PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFH8330PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6
 

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Principales características: IRFH8330PBF

 ..1. Size:312K  international rectifier
 irfh8330pbf.pdf pdf_icon

IRFH8330PBF

IRFH8330PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V VGS max V 20 RDS(on) max 6.6 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 9.9 Qg typ. 9.3 nC PQFN 5X6 mm ID 25 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for high frequency buck converters Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (

 7.1. Size:236K  international rectifier
 irfh8334pbf-1.pdf pdf_icon

IRFH8330PBF

IRFH8334PbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS 30 V VGS max V 20 RDS(on) max 9.0 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 13.5 Qg typ. 7.1 nC PQFN 5X6 mm ID 25 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for high frequency buck converters Features Benefits Industry-standard pinout PQFN 5 x 6mm Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mou

 7.2. Size:226K  international rectifier
 irfh8337pbf.pdf pdf_icon

IRFH8330PBF

PD - 97646C IRFH8337PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V VGS max V 20 RDS(on) max 12.8 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 19.9 Qg typ. 4.7 nC PQFN 5X6 mm ID 16.2 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (

 7.3. Size:298K  international rectifier
 irfh8334pbf.pdf pdf_icon

IRFH8330PBF

IRFH8334PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V VGS max V 20 RDS(on) max 9.0 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 13.5 Qg typ. 7.1 nC PQFN 5X6 mm ID 25 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (

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History: SI7164DP

 

 
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