IRFH8330PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFH8330PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
Тип корпуса: PQFN5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFH8330PBF Datasheet (PDF)
irfh8330pbf.pdf

IRFH8330PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVGS max V 20RDS(on) max 6.6(@VGS = 10V)m(@VGS = 4.5V)9.9Qg typ.9.3 nCPQFN 5X6 mmID 25 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Control MOSFET for high frequency buck converters Synchronous MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (
irfh8334pbf-1.pdf

IRFH8334PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VVGS max V 20RDS(on) max 9.0(@VGS = 10V)m(@VGS = 4.5V)13.5Qg typ.7.1 nCPQFN 5X6 mmID 25 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Control MOSFET for high frequency buck convertersFeatures BenefitsIndustry-standard pinout PQFN 5 x 6mm Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mou
irfh8337pbf.pdf

PD - 97646CIRFH8337PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVGS max V 20RDS(on) max 12.8(@VGS = 10V)m(@VGS = 4.5V)19.9Qg typ.4.7 nCPQFN 5X6 mmID 16.2 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Control MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (
irfh8334pbf.pdf

IRFH8334PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVGS max V 20RDS(on) max 9.0(@VGS = 10V)m(@VGS = 4.5V)13.5Qg typ.7.1 nCPQFN 5X6 mmID 25 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Control MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: FQD5N60C | RF4E070GN | FTD36N06N | FQI7N80TU | TMAN11N90AZ | IGT60R190D1S | AP70WN2K8H
History: FQD5N60C | RF4E070GN | FTD36N06N | FQI7N80TU | TMAN11N90AZ | IGT60R190D1S | AP70WN2K8H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718