IXFH15N80 Todos los transistores

 

IXFH15N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFH15N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 150 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

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IXFH15N80 Datasheet (PDF)

1.1. ixfh15n80q ixft15n80q.pdf Size:111K _ixys

IXFH15N80
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IXFH 15N80Q VDSS = 800 V HiPerFETTM IXFT 15N80Q ID25 = 15 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.60 W Q-Class trr ? 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 800 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) ID25 TC = 25C15 A IDM TC = 25C,

1.2. ixfh14n80 ixfh15n80.pdf Size:112K _ixys

IXFH15N80
IXFH15N80

HiPerFETTM Power MOSFETs VDSS ID25 RDS(on) N-Channel Enhancement Mode ? ? ? ? IXFH14N80 800 V 14 A 0.70 ? High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family ? ? ? ? IXFH15N80 800 V 15 A 0.60 ? ? trr ? ? 250 ns ? ? Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25C to 150C 800 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M? 800 V VGS Continuous 20 V (TAB) VGSM Transient 30 V ID25

 3.1. ixfh15n60 ixfh20n60 ixfm15n60 ixfm20n60.pdf Size:82K _ixys

IXFH15N80
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VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 15 N60 600 V 15 A 0.50 W Power MOSFETs IXFH/IXFM 20 N60 600 V 20 A 0.35 W trr ? 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 600 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25C 15N60

3.2. ixfh14n100 ixft14n100 ixfx14n100 ixfh15n100 ixft15n100 ixfx15n100.pdf Size:116K _ixys

IXFH15N80
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VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT/IXFX14 N100 1000 V 14 A 0.75 W Power MOSFETs IXFH/IXFT/IXFX15 N100 1000 V 15 A 0.70 W trr ? 200 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Preliminary data sheet TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 1000 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 1000 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGS

Otros transistores... IXFH12N90Q , IXFH13N50 , IXFH13N80 , IXFH13N80Q , IXFH14N100 , IXFH14N80 , IXFH15N100 , IXFH15N60 , 2SK2611 , IXFH16N90 , IXFH20N60 , IXFH20N60Q , IXFH20N80Q , IXFH21N50 , IXFH22N55 , IXFH24N50 , IXFH26N50 .

 
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