IXFH15N80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFH15N80  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFH15N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH15N80 даташит

 ..1. Size:426K  1
 ixfh11n80 ixfm11n80 ixfh13n80 ixfm13n80 ixfh14n80 ixfm14n80 ixfh15n80 ixfm15n80.pdf pdf_icon

IXFH15N80

 ..2. Size:112K  ixys
 ixfh14n80 ixfh15n80.pdf pdf_icon

IXFH15N80

 0.1. Size:111K  ixys
 ixfh15n80q ixft15n80q.pdf pdf_icon

IXFH15N80

IXFH 15N80Q VDSS = 800 V HiPerFETTM IXFT 15N80Q ID25 = 15 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.60 W Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 800 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) ID25 TC = 25 C15 A IDM

 7.1. Size:82K  ixys
 ixfh15n60 ixfh20n60 ixfm15n60 ixfm20n60.pdf pdf_icon

IXFH15N80

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 15 N60 600 V 15 A 0.50 W Power MOSFETs IXFH/IXFM 20 N60 600 V 20 A 0.35 W trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFH12N90Q, IXFH13N50, IXFH13N80, IXFH13N80Q, IXFH14N100, IXFH14N80, IXFH15N100, IXFH15N60, SKD502T, IXFH16N90, IXFH20N60, IXFH20N60Q, IXFH20N80Q, IXFH21N50, IXFH22N55, IXFH24N50, IXFH26N50