AM7924N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM7924N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 511 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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AM7924N datasheet

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AM7924N

Analog Power AM7924N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 3.4 @ VGS = 4.5V 60c Low thermal impedance 20 5 @ VGS = 2.5V 60c Fast switching speed DFN5X6-8L Typical Applications Power Routing Li Ion Battery Packs Level Shifting and Driver Circuits ABSOLUTE MAX

 9.1. Size:105K  analog power
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AM7924N

Analog Power AM7920N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 10 @ V = 4.5V 33 GS dissipation. Typical applications are DC-DC 20 converters and power management in portable and 13 @ V = 2.5V 29 GS

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