AM7931P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM7931P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8PP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM7931P

AM7931P Datasheet (PDF)

..1. Size:107K analog power
am7931p.pdf

Analog Power AM7931PDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 13 @ V = 10V 29GSdissipation. Typical applications are DC-DC -30converters and power management in portable and 18 @ V = 4.5V 25GS

9.1. Size:106K analog power
am7930n.pdf

Analog Power AM7930NDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 8 @ V = 10V 37GSdissipation. Typical applications are DC-DC 30converters and power management in portable and 12 @ V = 4.5V 30GSb

9.2. Size:301K analog power
am7933p.pdf

Analog Power AM7933PDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)8 @ VGS = -10V-55c Low thermal impedance -3012 @ VGS = -4.5V-45c Fast switching speed DFN5X6-8L Typical Applications: Load Switches DC/DC Conversion Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25

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Liste

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