IXFH22N55 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFH22N55
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXFH22N55 MOSFET
IXFH22N55 PDF Specs
ixfh22n55.pdf
HiPerFETTM IXFH 22 N55 VDSS = 550 V Power MOSFET ID (cont) = 22 A RDS(on) = 0.27 W N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avlanche Rated, High dv/dt, Low trr Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25 C to 150 C 550 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 550 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C22 A IDM TC = ... See More ⇒
ixfh22n50p ixfv22n50p.pdf
IXFH 22N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 22N50P ID25 = 22 A Power MOSFET IXFV 22N50PS RDS(on) 270 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500... See More ⇒
ixfh22n60p ixfv22n60p.pdf
IXFH 22N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 22N60P ID25 = 22 A Power MOSFETs IXFV 22N60PS RDS(on) 350 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 60... See More ⇒
ixfa22n65x2 ixfp22n65x2 ixfh22n65x2.pdf
X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFA22N65X2 Power MOSFET ID25 = 22A IXFP22N65X2 RDS(on) 145m IXFH22N65X2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) TO-220 (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V VGSM T... See More ⇒
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History: NTZD3158P
History: NTZD3158P
Liste
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