IXFH22N55. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IXFH22N55
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXFH22N55
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IXFH22N55 даташит
ixfh22n55.pdf
HiPerFETTM IXFH 22 N55 VDSS = 550 V Power MOSFET ID (cont) = 22 A RDS(on) = 0.27 W N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avlanche Rated, High dv/dt, Low trr Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25 C to 150 C 550 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 550 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C22 A IDM TC =
ixfh22n50p ixfv22n50p.pdf
IXFH 22N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 22N50P ID25 = 22 A Power MOSFET IXFV 22N50PS RDS(on) 270 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500
ixfh22n60p ixfv22n60p.pdf
IXFH 22N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 22N60P ID25 = 22 A Power MOSFETs IXFV 22N60PS RDS(on) 350 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 60
ixfa22n65x2 ixfp22n65x2 ixfh22n65x2.pdf
X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFA22N65X2 Power MOSFET ID25 = 22A IXFP22N65X2 RDS(on) 145m IXFH22N65X2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) TO-220 (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V VGSM T
Другие MOSFET... IXFH15N100 , IXFH15N60 , IXFH15N80 , IXFH16N90 , IXFH20N60 , IXFH20N60Q , IXFH20N80Q , IXFH21N50 , IRF1405 , IXFH24N50 , IXFH26N50 , IXFH26N50Q , IXFH26N60Q , IXFH30N50 , IXFH32N50 , IXFH32N50Q , IXFH35N30 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet





