IXFH22N55 - описание и поиск аналогов

 

IXFH22N55. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFH22N55

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXFH22N55

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH22N55 даташит

 ..1. Size:69K  ixys
ixfh22n55.pdfpdf_icon

IXFH22N55

HiPerFETTM IXFH 22 N55 VDSS = 550 V Power MOSFET ID (cont) = 22 A RDS(on) = 0.27 W N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avlanche Rated, High dv/dt, Low trr Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25 C to 150 C 550 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 550 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C22 A IDM TC =

 6.1. Size:312K  ixys
ixfh22n50p ixfv22n50p.pdfpdf_icon

IXFH22N55

IXFH 22N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 22N50P ID25 = 22 A Power MOSFET IXFV 22N50PS RDS(on) 270 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500

 7.1. Size:295K  ixys
ixfh22n60p ixfv22n60p.pdfpdf_icon

IXFH22N55

IXFH 22N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 22N60P ID25 = 22 A Power MOSFETs IXFV 22N60PS RDS(on) 350 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 60

 7.2. Size:336K  ixys
ixfa22n65x2 ixfp22n65x2 ixfh22n65x2.pdfpdf_icon

IXFH22N55

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFA22N65X2 Power MOSFET ID25 = 22A IXFP22N65X2 RDS(on) 145m IXFH22N65X2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) TO-220 (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V VGSM T

Другие MOSFET... IXFH15N100 , IXFH15N60 , IXFH15N80 , IXFH16N90 , IXFH20N60 , IXFH20N60Q , IXFH20N80Q , IXFH21N50 , IRF1405 , IXFH24N50 , IXFH26N50 , IXFH26N50Q , IXFH26N60Q , IXFH30N50 , IXFH32N50 , IXFH32N50Q , IXFH35N30 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.