AM8882 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM8882
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X3
Búsqueda de reemplazo de AM8882 MOSFET
AM8882 Datasheet (PDF)
am8882.pdf
AiT Semiconductor Inc. AM8882 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8882 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 8A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 9.5m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 1.8V. The Typ.R = 13m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use
am8881.pdf
AiT Semiconductor Inc. AM8881 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8881 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 11A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R
Otros transistores... AM8206 , AM8208 , AM8810 , AM8811 , AM8812 , AM8814 , AM8820 , AM8881 , IRFP260N , AM8958 , AM8958C , AM8N20-600D , AM8N25-550D , AM90N02-04D , AM90N03-01P , AM90N03-02D , AM90N03-03B .
History: IRHN7230 | IXTA90N055T | AM8820 | HM5N90 | NCEP060N10F
History: IRHN7230 | IXTA90N055T | AM8820 | HM5N90 | NCEP060N10F
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362