AM8N20-600D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM8N20-600D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de AM8N20-600D MOSFET
AM8N20-600D Datasheet (PDF)
am8n20-600d.pdf
Analog Power AM8N20-600DN-Channel 200-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)600 @ VGS = 10V7.5 Low thermal impedance 200750 @ VGS = 4.5V6.7 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE
am8n25-550d.pdf
Analog Power AM8N25-550DN-Channel 250-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)550 @ VGS = 10V7.8 Low thermal impedance 250700 @ VGS = 5.5V7.0 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE M
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History: HITK0204MP
History: HITK0204MP
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