Справочник MOSFET. AM8N20-600D

 

AM8N20-600D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM8N20-600D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM8N20-600D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  analog power
 am8n20-600d.pdf pdf_icon

AM8N20-600D

Analog Power AM8N20-600DN-Channel 200-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)600 @ VGS = 10V7.5 Low thermal impedance 200750 @ VGS = 4.5V6.7 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE

 9.1. Size:300K  analog power
 am8n25-550d.pdf pdf_icon

AM8N20-600D

Analog Power AM8N25-550DN-Channel 250-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)550 @ VGS = 10V7.8 Low thermal impedance 250700 @ VGS = 5.5V7.0 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE M

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IPP65R420CFD | 50N06G-TQ2-T | IAUC100N10S5N040 | STU601S | GT52N10T | FDD86102LZ | SWF4N70D

 

 
Back to Top

 


 
.