AM9412N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM9412N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 4 nC
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM9412N
AM9412N Datasheet (PDF)
am9412n.pdf
Analog Power AM9412NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARYHigh Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m()ID (A)minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 22 @ VGS = 10V 9.030circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 36 @ VGS = 4.5V 7.0converters,
am9410n.pdf
Analog Power AM9410NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARYHigh Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m() ID (A)minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 24 @ VGS = 10V 8.1circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 3033 @ VGS = 4.5V 6.9converters, p
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