AM9412N Todos los transistores

 

AM9412N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM9412N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AM9412N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  analog power
 am9412n.pdf pdf_icon

AM9412N

Analog Power AM9412NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARYHigh Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m()ID (A)minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 22 @ VGS = 10V 9.030circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 36 @ VGS = 4.5V 7.0converters,

 9.1. Size:209K  analog power
 am9410n.pdf pdf_icon

AM9412N

Analog Power AM9410NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARYHigh Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m() ID (A)minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 24 @ VGS = 10V 8.1circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 3033 @ VGS = 4.5V 6.9converters, p

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History: BL8N100-F | MS49P63 | SSM3K124TU | IPB100N04S2-04 | IRFS9N60APBF | IPB26CN10NG | HY110N06T

 

 
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