AM9412N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM9412N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AM9412N datasheet

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AM9412N

Analog Power AM9412N N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARY High Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 22 @ VGS = 10V 9.0 30 circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 36 @ VGS = 4.5V 7.0 converters,

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AM9412N

Analog Power AM9410N N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARY High Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 24 @ VGS = 10V 8.1 circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 30 33 @ VGS = 4.5V 6.9 converters, p

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