STN2NE10 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STN2NE10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STN2NE10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de STN2NE10 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:63K st
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STN2NE10 N - CHANNEL 100V - 0.33 - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STN2NE10 100 V

0.1. Size:258K st
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STN2NE10L N-channel 100V - 0.33 -2A - SOT-223 STripFET Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 2 STN2NE10L 100V

8.1. Size:272K st
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STN2NE06 N-CHANNEL 60V - 0.18 - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STN2NE06 60 V

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STN2N10L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ADVANCE DATA TYPE V R I DSS DS(on) DCONT STN2N10L 100 V