STN2NE10 Todos los transistores

 

STN2NE10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STN2NE10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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STN2NE10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  st
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STN2NE10

STN2NE10N - CHANNEL 100V - 0.33 - 2A - SOT-223STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTN2NE10 100 V

 0.1. Size:258K  st
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STN2NE10

STN2NE10LN-channel 100V - 0.33 -2A - SOT-223STripFET Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)2STN2NE10L 100V

 8.1. Size:272K  st
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STN2NE10

STN2NE06N-CHANNEL 60V - 0.18 - 2A - SOT-223STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTN2NE06 60 V

 9.1. Size:86K  st
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STN2NE10

STN2N10LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORADVANCE DATATYPE V R IDSS DS(on) DCONTSTN2N10L 100 V

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History: AON6984 | 2SK2207 | IRF4104PBF | 2SK1905 | IXFH28N60P3 | IRFS634 | SPD08N50C3

 

 
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