STN2NE10 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STN2NE10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN2NE10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для STN2NE10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:63K st
stn2ne10.pdf pdf_icon

STN2NE10 N - CHANNEL 100V - 0.33 - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STN2NE10 100 V

0.1. Size:258K st
stn2ne10l.pdf pdf_icon

STN2NE10L N-channel 100V - 0.33 -2A - SOT-223 STripFET Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 2 STN2NE10L 100V

8.1. Size:272K st
stn2ne06.pdf pdf_icon

STN2NE06 N-CHANNEL 60V - 0.18 - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STN2NE06 60 V

9.1. Size:86K st
stn2n10l.pdf pdf_icon

STN2N10L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ADVANCE DATA TYPE V R I DSS DS(on) DCONT STN2N10L 100 V