Справочник MOSFET. STN2NE10

 

STN2NE10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STN2NE10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для STN2NE10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN2NE10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  st
 stn2ne10.pdf pdf_icon

STN2NE10

STN2NE10N - CHANNEL 100V - 0.33 - 2A - SOT-223STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTN2NE10 100 V

 0.1. Size:258K  st
 stn2ne10l.pdf pdf_icon

STN2NE10

STN2NE10LN-channel 100V - 0.33 -2A - SOT-223STripFET Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)2STN2NE10L 100V

 8.1. Size:272K  st
 stn2ne06.pdf pdf_icon

STN2NE10

STN2NE06N-CHANNEL 60V - 0.18 - 2A - SOT-223STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTN2NE06 60 V

 9.1. Size:86K  st
 stn2n10l.pdf pdf_icon

STN2NE10

STN2N10LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORADVANCE DATATYPE V R IDSS DS(on) DCONTSTN2N10L 100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STN1NF20 , STN2018 , STN2300 , STN2300A , STN2302 , STN2306 , STN2342 , STN2342A , EMB04N03H , STN2NE10L , STN3400 , STN3400A , STN3404 , STN3406 , STN3414 , STN3446 , STN3456 .

History: 2SK2030 | NVTR4502P | IXFV16N80P | CS6661 | PMN40ENA | CMPFJ310

 

 
Back to Top

 


 
.