IXFH50N20 Todos los transistores

 

IXFH50N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFH50N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: TO247

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IXFH50N20 datasheet

 ..1. Size:104K  ixys
 ixfh42n20 ixfm42n20 ixfh58n20 ixfm58n20 ixft50n20 ixfh50n20 ixfm50n20 ixft58n20.pdf pdf_icon

IXFH50N20

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs 200 V 42 A 60mW IXFH/IXFM42N20 200 V 50 A 45mW IXFH/IXFM/IXFT50N20 200 V 58 A 40mW IXFH/IXFT58N20 N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family TO-247 AD (IXFH) (TAB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V TO-268 (D3) Case Style VG

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IXFH50N20

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850V IXFT50N85XHV Power MOSFET ID25 = 50A IXFH50N85X RDS(on) 105m IXFK50N85X TO-268HV (IXFT) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V VGSS Co

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IXFH50N20

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFT50N60X Power MOSFET ID25 = 50A IXFQ50N60X RDS(on) 73m IXFH50N60X N-Channel Enhancement Mode TO-268 (IXFT) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V D VDGR TJ = 25 C to 1

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 ixft50n50p3 ixfq50n50p3 ixfh50n50p3.pdf pdf_icon

IXFH50N20

Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFT50N50P3 ID25 = 50A Power MOSFET IXFQ50N50P3 RDS(on) 125m IXFH50N50P3 N-Channel Enhancement Mode TO-268 (IXFT) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V D

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