STP10N60M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP10N60M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de STP10N60M2 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STP10N60M2 datasheet

 ..1. Size:1627K  st
 stb10n60m2 std10n60m2 stp10n60m2 stu10n60m2.pdf pdf_icon

STP10N60M2

STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2 N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D PAK, DPAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS @ TJmax max ID 1 3 1 DPAK STB10N60M2 D 2 PAK STD10N60M2 650 V 0.600 7.5 A STP10N60M2 TAB TAB STU10N60M2 3 Extremely low gate ch

 7.1. Size:1300K  st
 stb10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdf pdf_icon

STP10N60M2

 7.2. Size:948K  st
 stf10n62k3 stfi10n62k3 sti10n62k3 stp10n62k3.pdf pdf_icon

STP10N60M2

STF10N62K3, STFI10N62K3, STI10N62K3, STP10N62K3 N-channel 620 V, 0.68 typ., 8.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, I PAK, TO-220 packages Datasheet - production data Features RDS(on) Type VDSS max ID Pw 3 2 STF10N62K3 1 1 2 8.4 A(1) 30 W 3 TO-220FP STFI10N62K3 I PAKFP 620 V

 7.3. Size:1300K  st
 stb10n65k3 stf10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdf pdf_icon

STP10N60M2

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STN8822, STN8822A, STN8882D, STP100N10F7, STP100N8F6, STP1013, STP105N3LL, STP10N105K5, K4145, STP10N65K3, STP10N95K5, STP10NK50Z, STP10NK60ZFP, STP10P6F6, STP110N10F7, STP110N55F6, STP110N8F6